SiC kõrgepinge SBD

Shenzhen Shenchuang Hi-tech Electronics Co., Ltd (SChitec) on kõrgtehnoloogiline ettevõte, mis on spetsialiseerunud telefonitarvikute tootmisele ja müügile. Meie põhitoodete hulka kuuluvad reisilaadijad, autolaadijad, USB-kaablid, toitepangad ja muud digitaalsed tooted. Kõik tooted on turvalised ja usaldusväärsed ning ainulaadsete stiilidega. Tooted läbivad sertifikaadid nagu CE, FCC, ROHS, UL, PSE, C-Tick jne. , Kui olete huvitatud, võite otse ühendust võtta ceo@schitec.com-ga.

Jätkake SCiteciga laadimist ohutult

SiC kõrgepinge SBD

Kuna Si ja GaAs barjääri kõrgus ja kriitiline elektriväli on madalamad kui lairiba pooljuhtidel, on Si ja GaAs valmistatud SBD läbilöögipinge ja vastupidine lekkevool madalamad ja suuremad. Ränikarbiidi (SIC) materjalil on lai ribalaius (2,2 ev-3,2 ev), suur kriitiline läbilöögi elektriväli (2 V / cm-4 × 106 v / cm), kõrge küllastuskiirus (2 × 107 cm / s), kõrge soojusjuhtivus 4,9 w / (cm · K), tugev keemiline korrosioonikindlus, kõrge kõvadus ning suhteliselt küps materjali ettevalmistus- ja tootmisprotsess. See on ideaalne uus materjal kõrge pingetakistusega, madala edasisuunas pingelanguse ja suure lülituskiirusega SBD valmistamiseks.

1999. aastal töötas Ameerika Ühendriikide Purdue ülikool Muri projektis, mida rahastas USA merevägi, välja 4,9kv SiC Power SBD, mis tegi põhjaliku läbimurde SBD pingetaluvuses. SBD päripingelang ja vastupidine lekkevool mõjutavad otseselt võimsuskadu. SBD alaldi ja süsteemi tõhusus. On vastuoluline, et madal päripinge nõuab madalat Schottky tõkkekõrgust ja kõrge tagasilöögipinge võimalikult kõrget tõkkekõrgust. Seetõttu on tõkkemetalli valik väga oluline, sest seda tuleb pidada kompromissiks. Ni ja Ti on ideaalsed Schottky tõkkemetallid n-tüüpi SiC jaoks. Kuna Ni/SiC tõkkekõrgus on kõrgem kui Ti/SiC, on esimesel madalam vastupidine lekkevool ja teisel väiksem päripinge langus. Madala päripinge ja vastupidise lekkevooluga sicsbd saamiseks on Ni-kontaktiga ja Ti-kontaktiga ning kõrge/madala barjääriga bimetallsoonega (DMT) konstruktsiooniga sicsbd projekteerimine teostatav. Selle struktuuri korral on sicsbd vastupidine lekkevool 75 korda väiksem kui tasapinnalise Ti Schottky alaldi oma 300 V pöördpingega ja pärisuunaline lekkevool on sarnane nisbd omaga. Kaitserõngaga 6h sicsbd kasutamisel on läbilöögipinge kuni 550V.

Aruannete kohaselt on cmzetterling jt. Epitakseeriti 10 μm n-tüüpi kiht 6h SiC substraadile ja seejärel moodustati ioonimplantatsiooni teel paralleelsed P+-ribad. Ülemine tõkkemetall on ti. See struktuur on sarnane joonisel 2 kujutatud ristmikubarjääri Schottky (JBS) seadme omaga. Edasisuunalised karakteristikud on samad, mis Ti Schottky barjääril ja vastupidine lekkevool on PN ja Ti Schottky tõkke vahel. 20 m Ω· cm2, blokeerimispinge on 1,1 kV ja lekkevoolu tihedus on 10 μA / cm2 200 V pöördpinge all. Lisaks teatas R. rayhunathon p-tüüpi 4H? Sicsbd ja 6h? Sicsbd. P-tüüpi 4h-sicsbd ja 6h-sicsbd, mille metalltõkkeks on Ti, pöördläbilöögipinge on vastavalt 600 V ja 540 V ning lekkevoolu tihedus 100 V pöördpinge all on väiksem kui 0,1 μA / cm2 (25 kraadi).

SiC on ideaalne materjal jõupooljuhtseadmete valmistamiseks. 4. mail 2000 teatasid Ameerika Ühendriikide Cree ja Jaapani Kansai Electric Power Company ühiselt 12,3 kv SiC jõudioodide edukast väljatöötamisest, mille pingelangus VF on 4,9 V voolutihedusel 100 A / cm2. See näitab täielikult SiC materjali suurt võimsust toitedioodide valmistamiseks.

SBD-s on SiC ja JBS struktuuriga seadmetel suur arenduspotentsiaal. Kõrgepinge jõudioodide vallas võtab SBD kindlasti koha.