Dioodi vastupidine rike
Nov 02, 2019| Jätkake SCiteciga laadimist ohutult
Dioodi vastupidine rike
Vastupidine rike jaguneb kaheks juhtumiks: Zeneri rike ja laviini rike. Suure dopingukontsentratsiooni korral, kuna barjääripiirkonna laius on väike ja pöördpinge on suur, hävib tõkkepiirkonna kovalentse sideme struktuur ja valentselektronid lahutatakse kovalentsest sidemest, et tekitada elektron-augu paarid. , põhjustades voolu järsu suurenemise, nimetatakse seda riket Zeneri rikkeks. Kui dopingu kontsentratsioon on madal, on barjääripiirkond lai ja Zeneri lagunemist pole lihtne põhjustada.
Laviini purunemine
Teine rikete tüüp on laviini purunemine. Kui pöördpinget suurendatakse suurema väärtuseni, kiirendab rakendatud elektriväli elektronide triivi kiirust, põrkudes kovalentses sidemes valentselektronidega ja lööb valentselektronid kovalentsest sidemest välja, tekitades uue elektron-augu paari. Äsja tekkinud elektronaugud kiirendatakse elektrivälja toimel ja seejärel löövad välja teised valentselektronid. Kandjad on laviiniliselt suurenenud, põhjustades voolu järsu suurenemise. Seda riket nimetatakse laviini purunemiseks. Sõltumata rikkest, kui vool ei ole piiratud, võib see PN-ristmikule jäädavalt kahjustada.


