Jõutransistor ja fototransistor
Nov 05, 2019| Jätkake SCiteciga laadimist ohutult
Jõutransistor ja fototransistor
Võimsustransistor on inglise keeles Giant Transistor tõlgitud sõna otseses mõttes hiiglaslikuks transistoriks. See on bipolaarne ristmiktransistor (BJT), mis on vastupidav kõrgele pingele ja suurele voolule, seetõttu nimetatakse seda mõnikord Power BJT-ks. Selle omadused on: kõrge vastupidavuspinge. Vool on suur, lülitusomadused on head, kuid juhtimisahel on keeruline ja ajami võimsus suur; GTR-i ja tavalise bipolaarse transistori tööpõhimõte on sama.
Fototransistor
Fototransistor on fotogalvaaniline seade, mis koosneb kolmest terminalist, näiteks bipolaartransistor või väljatransistor. Valgus neeldub selliste seadmete aktiivses piirkonnas, tekitades fotogenereeritud kandjaid, mis toodavad sisemise elektrilise võimendusmehhanismi kaudu fotovoolu võimendust. Fototransistor töötab kolmes otsas, nii et elektroonilist juhtimist või elektrilist sünkroniseerimist on lihtne saavutada. Fototransistoride valmistamiseks kasutatav materjal on tavaliselt galliumarseniid (GaAs), mis jaguneb peamiselt bipolaarseteks fototransistoriteks, väljaefektidega fototransistoriteks ja nendega seotud seadmeteks. Bipolaarsed fototransistorid on tavaliselt suure võimendusega, kuid mitte väga kiired. GaAs-GaAlAs puhul võib võimendustegur olla suurem kui 1000 ja reaktsiooniaeg on suurem kui nanosekundid. Seda kasutatakse tavaliselt fotodetektorites ja optilises võimenduses. Väljaefektiga fototransistoril on kiire reageerimiskiirus (umbes 50 pikosekundit), kuid puuduseks on see, et valgustundlik ala on väike ja võimendus väike (võimendustegur võib olla suurem kui 10), mida sageli kasutatakse väga suure kiirusena. fotodetektor. Selle kõrval on palju teisi tasapinnalisi optoelektroonilisi seadmeid, mida iseloomustab kiire kiirus (reageerimisaeg kümneid pikosekundeid) ja mis sobivad integreerimiseks. Eeldatakse, et sellised seadmed leiavad rakendust optoelektroonilises integratsioonis.


